反向导通型半导体元件及其制造方法

摘要

提供一种反向导通型半导体元件在衬底上一体地形成有绝缘栅双极晶体管和恢复特性优良的整流二极管。该反向导通型半导体元件在由第一导电类型半导体构成的衬底上一体地形成有绝缘栅双极晶体管和整流二极管，其中，整流二极管包含绝缘栅双极晶体管的第二导电类型的基极层和第一导电类型的基极层，将衬底的一个表面的发射极电极作为阳极电极，将衬底的另一个表面的集电极电极作为阴极电极，并由此构成该整流二极管，在第一导电类型的基极层的一部分之上，形成载流子寿命比其它第一导电类型的基极层更短的短寿命区域。

主权项

1. 一种反向导通型半导体元件，在由第一导电类型的半导体构成的衬底上一体地形成有绝缘栅双极晶体管和整流二极管，其特征在于，上述整流二极管，包括：在用于构成上述绝缘栅双极晶体管的上述衬底的一个表面上，通过掺杂第二导电类型的杂质而形成的第二导电类型的基极层；和由构成上述绝缘栅双极晶体管的上述第一导电类型的半导体构成的第一导电类型的基极层；且以在上述衬底的一个表面上形成的发射极电极作为阳极电极，该发射极电极覆盖形成在上述第二导电类型的基极层的一部分上的第一导电类型的发射极层和上述第二导电类型的基极层；以在上述衬底的另一个表面上形成的集电极电极作为阴极电极，该集电极电极覆盖上述第一导电类型的基极层和形成在该第一导电类型的基极层的一部分中的第二导电类型的集电极层，其中，在上述第一导电类型的基极层的一部分中，形成与其它第一导电类型的基极层相比载流子的寿命更短的短寿命区域，在上述衬底中，在形成了上述绝缘栅双极晶体管和上述整流二极管的工作区域的周围形成电场缓和区，与上述其它第一导电类型的半导体相比，位于该电场缓和区上的上述第一导电类型的半导体是载流子寿命更短的区域。