具高介电物质的硅/氧化物/氮化物/氧化物/硅器件架构

摘要

一种具高介电物质的硅/氧化物/氮化物/氧化物/硅器件架构，含有具有一源极区、一漏极区与位于其间的一信道区的一基底、位于信道区上的第一氧化层、在第一氧化层上的一氮化层、在氮化层上的第二氧化层、第二氧化层上的一栅极结构，其中在栅极结构底下的基底中有一个没有源/漏极区的区域、以及在氮化层上邻近栅极结构的侧壁间隙壁，其中至少一注入点，以注入电子于氮化层中，其中注入点位于信道区以及源极区与漏极区其中之一之间的一接合处，以及其中电荷储存于侧壁间隙壁底下的部分氮化层内。

主权项

1. 一种具高介电物质的硅/氧化物/氮化物/氧化物/硅器件架构，其特征在于：包括：一基底，具有一源极区、一漏极区与位于其间的一信道区；一第一氧化层，位于对应该信道区上方的该基底上，以及配置在部分该源极区与部分该漏极区上；一氮化层，位于该第一氧化层上，以及对应配置在该信道区、部分该源极区与部分该漏极区的上方；一第二氧化层，位于该氮化层上；一栅极结构，位于该第二氧化层上，以及对应配置于部分的该信道区上方；以及二侧壁间隙壁，位于该氮化层上以及邻接该栅极结构，各该二侧壁间隙壁的下方为对应部分信道区与部分的该源极区/该漏极区，该二侧壁间隙壁具有足以在其下的该基底中形成一反向区域的一介电系数值，以连接在各该二侧壁间隙壁下面有该源极区、该漏极区与该信道区的该区域，其中电荷储存于该二侧壁间隙壁底下的部分该氮化层内。