一种形成极薄功率装置芯片的方法

摘要

本发明公开了一种制造减薄的半导体装置的方法。从具有预制的前侧装置的晶圆开始，该方法包括：从晶圆背侧，仅减薄晶圆的区域，制成一个减薄区域，同时在晶圆外围保留原始晶圆厚度，用作结构加强；在晶圆背侧形成电阻连接；分离并收集预制装置。该方法进一步包括：把晶圆背侧临时粘结到单侧分割带上，并通过分割框架进行支撑；采用一个背衬金属板，以匹配减薄的晶圆区域；将分割带夹在晶圆和背衬金属板之间，然后下压分割带以粘结晶圆；采用一个台阶外形体来支撑晶圆背侧，在一个分割操作中，将预制装置之间分离开并从晶圆外围分离出预制装置，分割深度略大于晶圆区域；然后拾取并收集分离出的减薄半导体装置。

主权项

1、一种形成极薄装置芯片的方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤a：提供一个具有原始厚度的半导体晶圆，所述的晶圆具有一组位于其前侧面的预制装置；步骤b：从晶圆背侧，仅减薄晶圆的中央区域，为预制装置提供相应的极薄区域，同时保留具有原始厚度的晶圆外围区域，作为结构强度，防止后续操作中的破损；步骤c：在晶圆背侧形成电阻连接；步骤d：从晶圆上，分离并收集所述的每一组预制装置，形成极薄芯片。