| 主权项 |
1.一种从多元晶形第Ⅲ-Ⅴ族化合物产制单元晶形 第Ⅲ-Ⅴ 族化合物之方法,该方法包括:(a)以粉状固体涂层 坩埚 内部表面,该粉状固体所具有熔点高于多元晶形化 合物之 熔点,(b)将一种数量的第Ⅲ-Ⅴ族多元晶形化合物 置于该 涂层坩埚内,(c)将含有该化合物之涂层坩埚置入加 热工 具中,(d)加热含有该化合物之涂层坩埚到798K以上, 该温度高于该化合物的熔点,以熔解在坩埚内之化 合物, 同时维持该粉状固体呈固体粉末形式,且(e)冷却该 坩埚 及该化合物以产制单元晶形化合物。2.如申请专 利范围第1项之方法,其中该粉状固体系氮化 硼。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该涂层步 骤(a)进一 步包括:(1)将该粉状固体及水和醇的混合物形成桨 状物 ,(2)施用桨状物至坩埚内部表面,且(3)挥发该混合 物且 藉此使粉末固体沉积于坩埚内部表面上。4.如申 请专利范围第1项之方法,其中该第Ⅲ-Ⅴ族化合物 系砷化镓。5.一种从单元晶形物质之多元晶形先 质而在垂直方向地埚 内产制单元晶形第Ⅲ-Ⅴ族物质之方法,该方法由 下列所 组成:(a)以粉状固体涂层坩埚内部表面,其所具有 熔点 高于多元晶形先质之熔点,(b)将单元种晶置于坩埚 底部 ,(c)以多元晶形先质承载至坩埚之其余部份,(d)将 坩埚 置于垂直方向炉内,该炉能够产制上部热区域及下 部冷区 城;(e)调整炉位置及上部热区温度以加热多元晶形 物质 到798K以上使形成熔解物同时约下半部单元种晶 维持固 体形式;(f)设定在下部冷却区域温度低于单元晶形 物质 熔点同时维持在上部热区域中之温度超过熔点以 建立一种 固体—水、醇混合物介面,且(g)往上移动该炉且该 固体 —混合物介面,同时几乎维持在步骤(f)中所设定温 度而 于该炉及该固体—混合物介面垂直往上移动时可 产制固体 单元结晶物质。6.如申请专利范围第5项之方法,其 中该单元晶形第Ⅲ-Ⅴ 族物质系砷化镓。7.如申请专利范围第5项之方法, 其中该粉状固体系粉状 氮化硼。8.如申请专利范围第5项之方法,此进一步 包括于步骤(e) 之前将碳源置于炉内侧而在坩埚外侧,该碳源与多 元晶形 先质呈流体相连通。9.从多元晶形第Ⅲ-Ⅴ挨化合 物产制添加碳之单元晶形第 Ⅲ-Ⅴ族化合物之方法,该方法包括:(a)以粉状固体 涂层 坩埚内部表面,其所具有熔点高第Ⅲ-Ⅴ族化合物 之熔点 ,(b)将某种数量多元晶形化合物置入坩埚内,该多 元晶 形化合物系选自第Ⅲ-Ⅴ族化合物所组成群组,(c) 将含多 元晶形化合物之坩埚置于炉内,(d)将碳源置于炉内 侧及 坩埚外侧,该碳源与多元晶形化合物呈流体通,(e) 以从 炉之热施用至坩埚及多元晶形化合物上使达798K 以上以 熔解在坩埚内的化合物,且(f)降低炉温以冷却坩埚 并产 制添加碳之单元晶形化合物。10.如申请专利范围 第9项之方法,其中该粉状固体系粉状 氮化硼。11.如申请专利范围第9项之方法,其中该 第Ⅲ-Ⅴ族化合 物系砷化镓。12.从多元晶形第Ⅲ-Ⅴ族化合物产制 添加碳单元晶形第Ⅲ -Ⅴ族化合物之方法,该方法包括:(a)将单元种晶置 入坩 埚中,(b)将一种量之多元晶形化合物置入坩埚中, 该多 元晶形化合物系选自第Ⅲ-Ⅴ族化合物所组成群组 ,(c)将 含多元晶形化合物之坩埚置于石英安瓿内,(d)将碳 源置 于安瓿内侧而仍在坩埚外侧,该碳源与多元晶形化 合物呈 流体相连通,(e)以粉状固体涂层坩埚内部表面,其 所具 熔点系高于第Ⅲ-Ⅴ族化合物之熔点,(f)密封该安 瓿,(g )将已密封安瓿置于炉内,(h)增加炉温到798K以上以 熔 解多元晶形化合物,且(i)降低炉温以冷却熔解物且 产制 添加碳之单元晶形化合物。13.如申请专利范围第 12项之方法,其中该粉状固体系粉 状氮化硼。14.如申请专利范围第13项之方法,其中 该第Ⅲ-Ⅴ族化合 |
