| 发明名称 | 发光二极管基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种发光二极管基板的制造方法，该制造方法用于使发光二极管高亮度化，而且没有使用粘合剂的粘合工序，可以高精度且低成本地形成具有所希望的形状和尺寸的反射部。该制造方法是在形成了回路的基板表面涂布导电性糊，将该导电性糊加热固化，在配置发光二极管的位置，通过具有圆锥台形状的顶部的钻机，将固化的导电性糊穿孔，从而形成具有作为反射部的锥形侧壁面的空间。 | ||
| 申请公布号 | CN101276876A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200810109237.8 | 申请日期 | 2008.03.14 |
| 申请人 | 大自达系统电子株式会社 | 发明人 | 岩井靖;村上久敏 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王健 |
| 主权项 | 1、发光二极管基板的制造方法，该发光二极管基板具有用于使发光二极管高亮度化的反射部，其特征在于：在形成了回路的基板表面涂布导电性糊，将该导电性糊加热固化，在配置发光二极管的位置，通过具有圆锥台形状的顶部的钻机，将上述固化的导电性糊穿孔，从而形成具有作为反射部的锥形侧壁面的空间。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||