| 发明名称 | 具有集成热沉的集成电路装置 | ||
| 摘要 | 具有集成热沉的集成电路装置。描述了一种以晶片级在集成电路装置的背面形成集成热沉的方法。在晶片的背面淀积第一金属层。在该第一金属层上淀积第二金属层。可选地，在该第二金属层上淀积第三金属层。第一金属层、第二金属层以及可选的第三金属层形成用于晶片的集成热沉。当晶片被切割成多个半导体装置时，每个半导体装置具有在其背面形成的集成热沉，包括第一金属层、第二金属层和可选的第三金属层。可选地，每个半导体装置通过焊球凸点或键合引线与引线框相连，以形成集成电路(IC)封装体。 | ||
| 申请公布号 | CN101276763A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200710138104.9 | 申请日期 | 2007.07.26 |
| 申请人 | 国家半导体公司 | 发明人 | Y·C·侯;S·M·杨;S·M·陈;W·K·滕 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L23/36(2006.01);H01L23/495(2006.01);H01L23/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/50(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘杰;魏军 |
| 主权项 | 1. 一种在集成电路装置的背面上形成集成热沉的晶片级方法，该方法包括：在包含很多集成电路芯片的晶片的背面上淀积第一金属层；在该第一金属层上淀积第二金属层；以及在淀积第一和第二金属层之后，将晶片切割成多个集成电路装置，以及其中对于多个集成电路装置的每个集成电路装置，第一金属层的一部分和第二金属层的一部分相结合，以形成与芯片集成形成的热沉。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||