| 发明名称 |
一种单端双羟烃基聚二甲基硅氧烷的制备方法 |
| 摘要 |
本发明是一种制备单端双羟烃基聚二甲基硅氧烷的新方法。本发明中的制备方法不同于以往合成方法，该合成方法以D<SUB>3</SUB>(六甲基环三硅氧烷)、烯丙基缩水甘油醚和甲氨基乙醇为起始原料，经阴离子开环聚合、硅氢加成和环氧开环三步反应合成目标产物单端双羟烃基聚二甲基硅氧烷，产品纯度98％以上。本发明具有反应步骤简便，原料易得，生产成本低，产品收率、纯度高等优点。 |
| 申请公布号 |
CN101274984A |
申请公布日期 |
2008.10.01 |
| 申请号 |
CN200810015223.X |
申请日期 |
2008.04.11 |
| 申请人 |
山东轻工业学院 |
发明人 |
张庆思;孙海峰;张萌;于一涛 |
| 分类号 |
C08G77/388(2006.01);C08G77/38(2006.01);C08G77/12(2006.01) |
主分类号 |
C08G77/388(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.单端双羟烃基聚二甲基硅氧烷的合成方法，其特征是：以D3(六甲基环三硅氧烷)、烯丙基缩水甘油醚和甲氨基乙醇为起始原料，经阴离子开环聚合，硅氢加成，环氧开环三步反应合成目标化合物单端双羟烃基聚二甲基硅氧烷。 |
| 地址 |
250353山东省济南市长清区西部新城大学科技园 |
