发明名称 双重金属镶嵌结构及其制造方法
摘要 一种双重金属镶嵌结构,此双重金属镶嵌结构包括基底、介电层、硬掩模层、接触结构与导线。介电层位于基底上,硬掩模层位于介电层上。接触结构位于介电层中,且接触结构的水平截面具有不对称的圆化轮廓。导线位于硬掩模层与介电层中,且位于接触结构上并与其电连接,且导线具有一侧向隆起,其位于接触结构边缘上。
申请公布号 CN100423228C 申请公布日期 2008.10.01
申请号 CN200510103865.1 申请日期 2005.09.16
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 黄俊仁;翁正明;林苗均
分类号 H01L21/768(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L21/4763(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1. 一种双重金属镶嵌结构的制造方法,包括:于一基底上依序形成一介电层与一硬掩模层;于该硬掩模层中形成一沟槽图案;于该基底上方形成一图案化的光致抗蚀剂层,且该图案化的光致抗蚀剂层具有一接触窗开口图案,该接触窗开口图案中暴露出部分的该硬掩模层;进行一削角步骤,移除该接触窗开口图案中所暴露出该硬掩模层的顶部边角;以该图案化的光致抗蚀剂层为掩模,移除部分该介电层,以于该介电层中形成一开口;移除该图案化的光致抗蚀剂层;以该硬掩模层为掩模,移除部分该介电层至暴露出该基底表面,以形成一接触窗开口,且同时于该接触窗开口上形成一沟槽;以及于该沟槽与该接触窗开口中形成一导体层。
地址 台湾省新竹科学工业园区