发明名称 于磁带基质上制造多层膜之方法
摘要 一种材料60、210连续沈积源于一网状基质36、206上之方法,一基质转送机构62、202令基质36、210于沈积材料源蒸散期间通过若干沈积源60、210,基质36、206之各部分以变换周期方式曝露于来自沈积源60、210之沈积通量,供应源之曝露数大于供应源数。
申请公布号 TW245015 申请公布日期 1995.04.11
申请号 TW082103767 申请日期 1993.05.13
申请人 孟尼苏泰矿务及制造公司 发明人 威廉.柯毕.米契尔;约瑟.郝米斯.塞克斯顿;约翰.华德.尤塞斯;麦可.比瑞.亨特兹
分类号 G11B5/62;G11B5/66 主分类号 G11B5/62
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种方法,藉由一密封多个沈积源的沈积装置将 供应源 材料连续沈积于一网片基质表面上,而该网片基质 之长度 比该封装之最大尺寸还长,该方法包含以下之步骤 :a)提 供一基质转送装置,以令该基质持续移过该等沈积 供应源 ;b)将该等面对基质之连续移动路径之沈积供应源 予以定 位,基质传送方向交替变化且在传送方向变换之时 在横向 上有一定量之移位;以及c)操作该基质转送装置以 于至少 两种不同沈积供应源材料之蒸发沈积期间,持续移 动该通 过沈积供应源之网片基质,使该基质表面之整个长 度实质 上以变换期之方式曝露于来自该等沈积供应源之 沈积通量 ,交替供应源之曝露数大于该等供应源数。2.根据 申请专利范围第1项之方法,其中多个沈积源材料 层系沈积于网片基质上以构成多层薄膜结构,而各 层相对 于基质之表面而呈一倾斜角。图1系一用以沈积材 料于一 网片基质上之习知系统示意图。图2系一基质与其 上之多 层结构垂直截面图。图3系包含若干滚轮之本发明 系统实 施例平面图。图4系比较于图3之本发明端面图。 图5系 大致依图3结构之滚轮另一实施例端面图。图6系 图5所 示组件之平面图,其包含一分段式滚轮之不同实施 例组合 ,且配合于一倾斜之分段式滚轮。图7系分段式倾 斜滚轮 之侧视图。图8系分段式滚轮之侧视图。图9系本 发明用 于一直向通过沈积系统之不同实施例平面图。图 10系图9 所示系统之端面图。图11系使用旋转挡门之连续 轴对轴单 次通过沈积系统之立体图。图12系使用若干各别 档门之连 续单次通过沈积系统示意图。图13系使用长形供 应源与成 群挡门之连续单次通过沈积系统示意图。图14系 使用图11 之系统所生光磁薄膜堆之截面示意图。图15系图14 之制品
地址 美国