| 发明名称 | 层积半导体芯片的半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种层积半导体芯片的半导体装置及其制造方法。其在电极膜表面形成粘合膜，再在其上形成覆盖膜。粘合膜的构成材料使用镍、铬、钼、钨、铝及这些金属的合金等。覆盖膜的材料使用金、银、白金及这些金属的合金等。 | ||
| 申请公布号 | CN100421249C | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
| 申请号 | CN200410083359.6 | 申请日期 | 2004.09.30 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 臼井良辅;水原秀树;中村岳史 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01);H01L23/48(2006.01);H01L21/50(2006.01) | 主分类号 | H01L25/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置，其特征在于，包括：基件；导电路，其设在所述基件中；绝缘膜，其覆盖所述基件的至少一部分；垫片电极，其设在所述基件表面或所述绝缘膜表面，连接所述导电路；半导体芯片，其形成在所述绝缘膜上；导电部件，其电连接所述垫片电极及所述半导体芯片，其中，所述绝缘膜的表面是等离子处理面，所述垫片电极具有电极膜及在其表面形成的导电性保护膜，所述导电部件的一端连接所述导电性保护膜。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||