| 发明名称 | 半导体激光装置和其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体激光装置和其制造方法，该半导体激光装置包括：沿着共振器延伸的第一方向或与第一方向交叉的第二方向存在弯曲的半导体激光元件；和固定半导体激光元件的弯曲的凸出侧的基台，在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的一个端部和基台之间的距离小于在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的另一端部和基台之间的距离。 | ||
| 申请公布号 | CN101272035A | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
| 申请号 | CN200810100306.9 | 申请日期 | 2008.03.14 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 中岛三郎;野村康彦;畑雅幸;后藤壮谦 |
| 分类号 | H01S5/022(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01S5/022(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘春成 |
| 主权项 | 1、一种半导体激光装置，其特征在于，包括：沿着共振器延伸的第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向中的至少一个方向存在弯曲的半导体激光元件；和固定所述半导体激光元件的弯曲的凸出侧的基台，在所述第一方向和所述第二方向中弯曲较大的方向上的所述半导体激光元件的一个端部和所述基台之间的距离小于在所述第一方向和所述第二方向中弯曲较大的方向上的所述半导体激光元件的另一端部和所述基台之间的距离。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||