| 发明名称 | 同时研磨多个半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种同时双侧研磨多个半导体晶片的方法，其中每个半导体晶片以自由运动的方式位于通过转动设备带动旋转的多个转盘之一的挖去部分中，并由此在摆线轨迹上运动，其中，所述半导体晶片在两个旋转的环形工作盘之间以去除材料的方式加工，其中每个工作盘包括含有粘合磨料的工作层，其中在研磨期间确定工作层之间形成的工作间隙的形状，并且根据测得的工作间隙的几何特征对至少一个工作盘的工作面进行机械改变或热改变，以使工作间隙具有预定的形状。本发明还涉及一种方法，其中在加工期间，半导体晶片以其面的一部分临时离开工作间隙。本发明此外还涉及一种方法，其中转盘完全由第一材料构成，或者转盘的第二材料完全的或部分由第一材料覆盖，使得在研磨期间只有第一材料与工作层进行机械接触，且第一材料与工作层之间不存在任何会降低磨料锋利度的相互作用。 | ||
| 申请公布号 | CN101269476A | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
| 申请号 | CN200810086098.1 | 申请日期 | 2008.03.19 |
| 申请人 | 硅电子股份公司;彼特沃尔特斯有限责任公司 | 发明人 | G·皮奇;M·克斯坦;H·a·d·施普林 |
| 分类号 | B24B37/04(2006.01);B24B29/00(2006.01);H01L21/304(2006.01);B24B49/00(2006.01);B24D3/00(2006.01);B24D13/14(2006.01);B24D18/00(2006.01) | 主分类号 | B24B37/04(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 程大军 |
| 主权项 | 1.一种同时双侧研磨多个半导体晶片的方法，其中每个半导体晶片以自由运动的方式位于通过转动设备带动旋转的多个转盘之一的挖去部分中，并由此在摆线轨迹上运动，其中，所述半导体晶片在两个旋转的环形工作盘之间以去除材料的方式加工，其中每个工作盘包括含有粘合磨料的工作层，其中在研磨期间确定工作层之间形成的工作间隙的形状，并且根据测得的工作间隙的几何特征对至少一个工作盘的工作面的形状进行机械改变或热改变，以使所述工作间隙具有预定的形状。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||