Integrated semiconductor memory with memory cells in a plurality of memory cell arrays and method of repairing said memory

摘要

Ein integrierter Halbleiterspeicher weist Speicherzellen (MC, RMC) in jeweils mehreren Speicherzellenfeldern (31 bis 36, 41 bis 46) auf, die auf einem Halbleiterchip (10) jeweils in übereinander verlaufenden Ebenen (1 bis 6) angeordnet sind. Mehrere der Speicherzellen (MC, RMC) sind jeweils zu normalen Einheiten (B1, B2) und redundanten Einheiten (RB1, RB2) von Speicherzellen zum Ersetzen jeweils einer der normalen Einheiten (B1, B2) zusammengefaßt. Die normalen Einheiten (B1, B2) und die redundanten Einheiten (RB1, RB2) umfassen jeweils Speicherzellen von Speicherzellenfeldern mehrerer Ebenen (1 bis 6). Im Falle einer fehlerhaften Speicherzelle (MC1) wird die betreffende normale Einheit (B2) durch eine der redundanten Einheiten (RB2) ersetzt. Dadurch ist eine reduzierte Anzahl von programmierbaren Elementen zur Programmierung der redundanten Speicherzellen für eine Reparatur des Speichers ermöglicht.