发明名称 | 存储电路、半导体装置以及电子设备 | ||
摘要 | 本发明提供一种主要在程序电路等使用的存储电路,可以简单、稳定地读取存储数据。所述存储电路包括:具有一端及另一端的第一铁电电容器和第二铁电电容器、电连接于第一铁电电容器的一端以及第二铁电电容器的另一端的第一连接部、电连接于第一铁电电容器的另一端以及第二铁电电容器的一端的第二连接部、使第一铁电电容器的一端和第二铁电电容器的一端之间产生规定的电位差的电位差提供部。优选电位差提供部包括具有第一端以及第二端的触发器。 | ||
申请公布号 | CN100421173C | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
申请号 | CN200410103648.8 | 申请日期 | 2004.12.29 |
申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 小出泰纪 |
分类号 | G11C11/22(2006.01) | 主分类号 | G11C11/22(2006.01) |
代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
主权项 | 1. 一种存储电路,其特征在于包括:第一铁电电容器,具有一端及另一端;第二铁电电容器,具有一端及另一端;第一连接部,包括设置在所述第一铁电电容器的所述一端和所述第二铁电电容器的所述另一端之间的第一开关,所述第一连接部用于电连接所述第一铁电电容器的所述一端以及所述第二铁电电容器的所述另一端;第二连接部,包括设置在所述第一铁电电容器的所述另一端和所述第二铁电电容器的所述一端之间的第二开关,所述第二连接部用于电连接所述第一铁电电容器的所述另一端以及所述第二铁电电容器的所述一端;以及电位差提供部,用于使所述第一铁电电容器的所述一端和所述第二铁电电容器的所述一端之间产生规定的电位差;读取部,根据所述第一铁电电容器以及所述第二铁电电容器的电容值,读取已写入所述第一铁电电容器以及所述第二铁电电容器中的数据;以及控制部,用于从所述第一铁电电容器以及所述第二铁电电容器读取数据,并向所述第一铁电电容器以及所述第二铁电电容器写入数据。 | ||
地址 | 日本东京 |