| 主权项 |
1.一种于烃类热裂解中增加重烃类生成产率之方法,包括:(a)以一种包含锡化物和矽化物的组合物,接触处理一支裂解炉的炉管;(b)将一种饱和烃类流,装入这支处理过的裂解管中,于适当的条件下,操作此裂解管以裂解该饱和烃类流;及(c)生成一种产物流,其中所包含五个更高碳数之烃类化合物的浓度,高于其在无进行步骤(a)时,所得该产物流中的浓度。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该组成物接触是在其与蒸气的混合物中进行,浓度为约1ppmw到约10,000ppmw范围内。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中接触是在约300℉到2000℉的温度范围下进行。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中接触进行的时间达约12小时。5.一种于烃类热裂解中增加重烃类生成产率之方法,该方法包括:(a)加入一种包含锡化物和矽化物的组合物尺该烃类流中,其添加量可有效提高该烃类流在该适当的裂解条件下进行裂解时,所生成之含五个或更高碳数烃类的产量;(b)使包含该组成物之该烃类流,处于该适合的裂解条件下;及(c)增加生成含五个或更高碳数烃类的产率,使其高于无进行添加步骤(a)的所得该产物的产率。6.根据申请专利范围第5项之方法,该组合物加入该烃类中之份量可使该组合物的浓度为单位烃类流重量的1到10,000倍范围内。7.根据申请专利范围第5项之方法,其中该裂解温度是在1200℉到2000℉的范围内。8.根据申请专利范围第1至7项中任一项之方法,其包括回收至少一部份以此方法所生之C5+的增加量。9.根据申请专利范围第1至7项中任一项之方法,其中锡化物是一种有机锡化物,及该矽化物是一种有机矽化物。10.根据申请专利范围第9项之方法,其中该有机锡化物是四丁基锡,及该有机矽化物是六由基二矽氧烷。11.根据申请专利范围第1至7项中任一项之方法,其中该组成物中,该锡化物相对于矽化物的莫耳比在1:100到100:1的范围内。12.根据申请专利范围第1至7项中任一项之方法,其也造成乙炔在产物流中产率的降低。图示简单说明:图一表示一个乙烯裂解制程中包含热裂解炉装置部份的流程图;图二表示使用未经处理过之裂解管和已依照本文所提之方法处理过之裂解管,在一固定的乙烷转化率下,所得各裂解产物中C5+产率之图形;以及图三表示使用未经处理过之裂解管和已依照本文所提之方法处理过之裂解管,在一固定的乙烷转化率下,所得各裂解产物中乙炔产率之图形。 |
