发明名称 固体摄影装置
摘要 一种固体摄影装置,即具备:形成于半导体基板表面部分,供给自邻接之CCD转送来之信号电荷蓄积之蓄积部,及检测蓄积于前述蓄积部之信号电荷,向外部输出检测信号之电荷检测部,及与前述蓄积部隔开所定距离形成于前述半导体基板表面部分之排出部,及由设于前述蓄积部及前述排出部间之耗尽型MOS晶体管构成之复位部,及设定附加于前述复位部之复位电压之复位电压设定装置,其特征为:前述复位电压设定装置,系在供给所定电压之一端与接地之另一端间,串联连接第1,第2电阻元件,将连接前述第1电阻元件与前述第2电阻元件之结点连接于前述复位电压附加电极,前述第2电子元件系以耗尽型MOS晶体管构成,该耗尽型MOS晶体管之耗尽型不纯物层系与前述复位部之耗尽型不纯物层同程序形成。
申请公布号 TW369723 申请公布日期 1999.09.11
申请号 TW086107103 申请日期 1997.05.26
申请人 东芝股份有限公司 发明人 荒川贤一
分类号 H01L27/14 主分类号 H01L27/14
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种固体摄影装置,即具备:形成于半导体基板表面部分,供给自邻接之CCD转送来之信号电荷蓄积之蓄积部,及检测蓄积于前述蓄积部之信号电荷,向外部输出检测信号之电荷检测部,及与前述蓄积部隔开所定距离形成于前述半导体基板表面部分之排出部,及由设于前述蓄积部及前述排出部间之耗尽型MOS晶体管构成之复位部,及设定附加于前述复位部之复位电压之复位电压设定装置,其特征为:前述复位电压设定装置,系在供给所定电压之一端与接地之另一端间,串联连接第1,第2电阻元件,将连接前述第1电阻元件与前述第2电阻元件之结点连接于前述复位电压附加电极,前述第2电子元件系以耗尽型MOS晶体管构成,该耗尽型MOS晶体管之耗尽型不纯物层系与前述复位部之耗尽型不纯物层同程序形成。2.一种固体摄影装置,即具备:形成于半导体基板表面部分,供给自邻接之CCD转送来之信号电荷蓄积之浮动扩散层,及检测蓄积于前述浮动扩散层之信号电荷向外部输出检测信号之电荷检测部,及于前述半导体基板表面部分,在前述浮动扩散层与频道领域间形成之复位漏极,及经绝缘膜形成于前述频道领域上部,附加复位电压时,经前述频道领域导通前述浮动扩散层与前述复位漏极,将前述浮动扩散层蓄积之信号电荷转送于前述复位漏极之复位门电极,及将输出接头连接于前述复位漏极,输出所定电压附加于前述复位漏极之电压附加装置,及将一端连接于前述电压附加装置之输出接头,另端接地,在前述一端与前述另端间以串联连接至少含第1.第2电阻元件之电阻元件,将连接前述第1电阻元件与前述第2电阻元件之结点连接于前述复位门电极之电阻分割器,其中,前述第2电阻元件系由耗尽型MOS晶体管构成,该耗尽型MOS晶体管之耗尽型不纯物层系与前述复位部之耗尽型不纯物层同程序形成。3.如申请专利范围第1项所述之固体摄影装置,其中,前述第1电阻元件系由增强型MOS晶体管构成。4.如申请专利范围第2项所述之固体摄影装置,其中,前述第1电阻元件系由增强型MOS晶体管构成。图式简单说明:第一图:表示依本发明之第1实施形态之固体摄影装置构成之电路图。第二图:表示同第1实施形态之复位门电压VRS,电阻R1及D型晶体管T1之电流之关系之曲线图。第三图:表示依本发明之第2实施形态之固体摄影装置之构成之电路图。第四图:表示同第二图之实施形态之复位门电压VRS与流经E型晶体管T2及D型晶体管T1之电流之关系之曲线图。第五图:表示先前之固体摄影装置之构成之电路图。第六图:表示同固体摄影装置之复位门电压VRS与流经电阻R1及R2之电流之关系曲线图。
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