| 发明名称 | 半导体端电极结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体端电极结构，包括衬底，在衬底表面形成的接合盘；在衬底和接合盘表面形成的图形钝化层；在接合盘上形成的阻挡层；在阻挡层上形成的培植层；以及在培植层上形成的金凸块。本发明还提供了一种半导体端电极结构的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底；在衬底表面淀积接合盘；在衬底和接合盘表面形成图形钝化层；在接合盘上形成阻挡层；在阻挡层上形成培植层；在培植层上电镀金和铊形成凸块；退火端电极。本发明的半导体端电极结构及其制造方法能够适当提高金凸块的硬度。 | ||
| 申请公布号 | CN100420007C | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200610023752.5 | 申请日期 | 2006.02.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王津洲;李润领 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01);H01L21/283(2006.01) | 主分类号 | H01L23/485(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1. 一种半导体端电极结构，包括：衬底；在衬底表面形成的接合盘；在衬底表面形成的图形钝化层；在接合盘上形成的阻挡层；在阻挡层上形成的培植层；以及 在培植层上形成的金凸块，所述金凸块由金和铊组成，其中，金的含量为99.99％，铊的含量为18-28ppm。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||