| 发明名称 | 用于形成蚀刻停止层的组合物 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供用于形成蚀刻停止层的组合物，该组合物能够同时实现干法蚀刻选择性和低的介电常数，以及使用该组合物生产半导体装置的方法。该目的可以通过用于形成蚀刻停止层的包括含硅聚合物的组合物，包含在该组合物中的含硅聚合物包括二甲硅烷基苯结构，以及包括使用该组合物形成蚀刻停止层的半导体装置的生产方法达到。 | ||
| 申请公布号 | CN100419973C | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200480029142.5 | 申请日期 | 2004.09.09 |
| 申请人 | AZ电子材料(日本)株式会社 | 发明人 | 田代裕治;青木宏幸;石川智规 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01);H01L21/3065(2006.01);C08G77/52(2006.01);C09D183/14(2006.01) | 主分类号 | H01L21/312(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人 | 刘激扬 |
| 主权项 | 1. 用于生产半导体装置的方法，其包括以下步骤：在衬底上形成绝缘层和蚀刻停止层；通过干法蚀刻除去部分绝缘层；并且将导电材料填充到这样形成的沟槽或者孔中，其中所述的蚀刻停止层是通过固化包含含硅聚合物的组合物而形成的，其中，基于该含硅聚合物中所含有的硅的总摩尔数，5-100摩尔％的硅包含于二甲硅烷基苯结构中，并且，该含硅聚合物的碳含量不低于30重量％。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||