发明名称 单级页表自身内存的保护方法及装置
摘要 本发明公开了一种单级页表自身内存的保护方法,包括以下步骤:查询单级页表所在的内存区域S0、单级页表中的第一层页表所在的内存区域S1、单级页表中的第二层页表所在的内存区域S2、...、单级页表中的第n-1层页表所在的内存区域Sn-1、以及单级页表中的第n层页表所在的内存区域Sn,其中,单级页表中的第n层页表的页表项位于单级页表中的第n层页表中,n≥1;以及分别将内存区域S0中内存区域S1以外的部分、内存区域S1中内存区域S2以外的部分、...、内存区域Sn-1中内存区域Sn以外的部分、以及内存区域Sn保护起来。其中,单级页表中的连续页表项所占的内存区域连续。
申请公布号 CN101266579A 申请公布日期 2008.09.17
申请号 CN200810088270.7 申请日期 2008.04.29
申请人 中兴通讯股份有限公司 发明人 梁金祥;傅仁武
分类号 G06F12/08(2006.01) 主分类号 G06F12/08(2006.01)
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 尚志峰;吴孟秋
主权项 1.一种单级页表自身内存的保护方法,其中,所述单级页表中的连续页表项所占的内存区域连续,其特征在于,所述方法包括:查询所述单级页表中的第0层页表所在的内存区域S0、所述单级页表中的第1层页表所在的内存区域S1、所述单级页表中的第2层页表所在的内存区域S2、...、所述单级页表中的第n-1层页表所在的内存区域Sn-1、以及所述单级页表中的第n层页表所在的内存区域Sn,其中,所述单级页表中的第n层页表的页表项位于所述单级页表中的第n层页表中,所述单级页表称为第0层页表,第0层页表所占用内存对应的页表称为所述第1层页表,所述第1层页表所占用内存对应的页表称为所述第2层页表,......,所述第n-1层页表所占用内存对应的页表称为所述第n层页表,n≥1;依次将所述内存区域S0中所述内存区域S 1以外的部分、所述内存区域S 1中所述内存区域S2以外的部分、...、所述内存区域Sn-1中所述内存区域Sn以外的部分、以及所述内存区域Sn保护起来。
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