| 发明名称 | 基板处理装置、基板处理方法和记录介质 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基板处理装置，其在同一处理室内能够迅速加热、冷却基板。该基板处理装置为通过化学处理和热处理除去基板(W)表面的氧化膜的基板处理装置(22a)，其包括：向处理室(41)内供给包含卤元素的气体与碱性气体的气体供给机构(100)；和在处理室(41)内，对基板(W)进行温度调节的第一温度调节部件(80)和第二温度调节部件(75)，第二温度调节部件(75)将基板(W)温度调节到比第一温度调节部件(80)高的温度。通过在同一处理室(41)内利用化学处理和热处理除去基板(W)表面的氧化膜，能够使基板处理装置(22a)小型化，也不需要用于复杂的搬送的复杂的搬送工序。此外，能够迅速加热、冷却基板(W)。 | ||
| 申请公布号 | CN101266924A | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200810086086.9 | 申请日期 | 2008.03.14 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 大西正 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘春成 |
| 主权项 | 1.一种基板处理装置，其通过化学处理和热处理除去基板表面的氧化膜，其特征在于，包括：向处理室内供给包含卤元素的气体与碱性气体的气体供给机构；和在所述处理室内，对基板进行温度调节的第一温度调节部件和第二温度调节部件，所述第二温度调节部件将基板温度调节到比所述第一温度调节部件高的温度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||