发明名称 半导体外延片的压焊结构
摘要 本发明公开了一种半导体外延片的压焊结构,该压焊结构不需要通过热阻加热方式给压焊金属加热,可以防止压焊金属由于热扩散而影响外延片的欧姆接触性能,进而最大程度的避免热阻加热方式给外延片造成的品质劣化。本发明采用如下技术方案:该结构包括对外延片和基板施加压力的夹合装置、通过将外延片和基板之间的金属焊料融化来焊接外延片和基板的加热装置;所述夹合装置包括两个夹合构件,两个夹合构件之间形成焊接外延片和基板的工作台,所述加热装置为通过电磁感应来加热所述压焊金属的电磁线圈,所述电磁线圈设于所述工作台上或工作台外围。本发明由于升温速率和降温速率很快,可以明显提高生产速率。
申请公布号 CN101267013A 申请公布日期 2008.09.17
申请号 CN200810106834.5 申请日期 2008.04.30
申请人 晶能光电(江西)有限公司 发明人 熊传兵;江风益;王立;王古平;章少华
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1、一种半导体外延片的压焊结构,包括对外延片和基板施加压力的夹合装置、通过将外延片和基板之间的金属焊料融化来焊接外延片和基板的加热装置;所述夹合装置包括两个夹合构件,两个夹合构件之间形成焊接外延片和基板的工作台,其特征在于:所述加热装置为通过电磁感应来加热所述压焊金属的电磁线圈,所述电磁线圈设于所述工作台上或工作台外围。
地址 330029江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号