单侧埋入带半导体结构及其形成方法

摘要

本发明揭示一种具有一单侧埋入带的半导体结构及其制法。此半导体结构包含一基材，具有一开口；一第一导电层，覆盖开口底表面上，并藉由一环颈介电层与基材隔开；及一第二导电层，系覆盖第一导电层并具一第一部份及一第二部份；其中第一部份系藉环颈介电层及一非晶矽层与基材隔开，而第二部份则与基材电连接以形成此单侧埋入带。