应用于超薄晶片背面处理工艺的方法和装置

摘要

本发明公开一种应用于超薄晶片背面处理工艺的方法和装置。该装置包括保持高温研磨和/或切割带以形成支撑结构的外环。超薄晶片或切割后的晶片被黏附到该带上的所述环内以进行晶片背面处理工艺。晶片背面处理工艺包括晶片位于所述支撑结构上时进行的离子注入，退火，刻蚀，溅射和蒸发。本发明也公开了所述支撑结构的其他使用，包括具有金属化侧壁的晶片的制造。