氧化锌基半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明揭露一种氧化锌基半导体发光元件及其制造方法。根据本发明之制造方法，首先，系制备一基材。接着，藉由一基于原子层沈积之制程，于该基材上或之上形成一氧化锌基多层结构，其中该氧化锌基多层结构包含一发光区域。