| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离结构的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底中已形成一沟渠;于该沟渠的表面形成一阻挡层,用以阻挡氧原子与电浆;以及以高密度电浆化学气相沉积法于该沟渠中形成一绝缘层。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该阻挡层系在一含有一氧化氮之气体中进行回火制程以形成者。3.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该含有一氧化氮之气体为纯一氧化氮气体。4.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该含有一氧化氮之气体为混有钝气的一氧化氮气体。5.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该回火制程的温度为摄氏900度至摄氏1200度。6.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该阻挡层之材质包括氮氧化矽。7.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该阻挡层之厚度为50埃至100埃。8.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,在该沟渠中形成该绝缘层之前,更包括于该阻挡层上形成一衬氧化层,该衬氧化层的厚度为40埃至50埃。9.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中形成该衬氧化层的方法包括化学气相沉积法。10.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,在该沟渠中形成该绝缘层之前,更包括于该阻挡层与该沟渠之间的该基底表面形成一衬氧化层,该衬氧化层的厚度为40埃至50埃。11.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该衬氧化层的形成方法包括热氧化法。12.一种浅沟渠隔离结构的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;于该基底上形成一垫氧化层与一罩幕层;将该罩幕层与该垫氧化层图案化,并在该基底中形成一沟渠;在一含有一氧化氮之气体中进行回火制程,以在该沟渠的表面形成一阻挡层,用以阻挡氧原子与电浆;以高密度电浆化学气相沉积法于该沟渠之中与该罩幕层之上形成一绝缘层;以化学机械研磨法去除该罩幕层上所覆盖之该绝缘层;去除该罩幕层;以及去除该垫氧化层。13.如申请专利范围第12项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该含有一氧化氮之气体为纯一氧化氮气体。14.如申请专利范围第12项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该回火制程的温度为摄氏900度至摄氏1200度。15.如申请专利范围第12项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该阻挡层之材质包括氮氧化矽。16.如申请专利范围第15项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该阻挡层之厚度为50埃至100埃。17.如申请专利范围第12项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,在形成该绝缘层之前,更包括于该阻挡层上形成一衬氧化层,该衬氧化层的厚度为40埃至50埃。18.如申请专利范围第17项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中形成该衬氧化层的方法包括化学气相沉积法。19.如申请专利范围第18项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中形成该衬氧化层的方法系以四乙基矽氧烷之电浆增强型化学气相沉积法所形成者。20.如申请专利范围第12项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,在形成该绝缘层之前,更包括于该阻挡层与该沟渠之间的该基底表面形成一衬氧化层,该衬氧化层的厚度为40埃至50埃。21.如申请专利范围第20项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该衬氧化层的形成方法包括热氧化法。图式简单说明:第1A图至第1E图系绘示根据本发明之一较佳实施例,一种浅沟渠隔离结构之制造流程剖面图;以及第2图系绘示根据本发明之一较佳实施例,另一种浅沟渠隔离结构之制造流程中的剖面图。 |
