| 主权项 |
1.一种自行扫描型发光装置之穿接金属配线构造,具有自行扫描型发光元件阵列,系由第1电气手段,各自连接3端子转送元件阵列的各转送元件的控制电极,并同时使用第2电气手段,将电源线路连接至各转送元件的控制电极,且将各转送元件之剩余的2端子之一,连接至时钟线所形成,其中之3端子转送元件阵列者,系由具有许多个pnpn构造之3端子转送元件,配置排列而成;及上述发光元件阵列者,系由许多个pnpn构造之3端子发光元件,配置排列而成,上述发光元件阵列的各控制电极,与上述转送元件的控制电极相连接,于各发光元件之剩余的2端子之一,施加有发光用电流之写入信号线;其特征为:具有一下部配线,系为设置在由分离沟槽分离成岛状的上述pnpn构造之最上层者;一上部配线,系为透过插穿于覆盖在由上述分离沟槽分离成岛状的上述pnpn构造之最上层之绝缘膜上之第1接触孔,连接至上述下部配线者;上述上部配线,透过插穿于覆盖在上述分离沟槽分离成岛状的上述pnpn构造之绝缘膜上之第2接触孔,连接至上述最上层之下之正下方层。2.一种自行扫描型发光装置之穿接金属配线构造,具有自行扫描型发光元件阵列,系由第1电气手段,各自连接3端子转送元件阵列的各转送元件的控制电极,并同时使用第2电气手段,将电源线路连接至各转送元件的控制电极,且将各转送元件之剩余的2端子之一,连接至时钟线所形成,其中之3端子转送元件阵列者,系由具有许多个pnpn构造之3端子转送元件,配置排列而成;及上述发光元件阵列者,系由许多个pnpn构造之3端子发光元件,配置排列而成,上述发光元件阵列的各控制电极,与上述转送元件的控制电极相连接,于各发光元件之剩余的2端子之一,施加有发光用电流之写入信号线;其特征为:具有一下部配线,系为设置在由分离沟槽分离成岛状的上述pnpn构造之最上层者;一上部配线,系为透过插穿于覆盖在由上述分离沟槽分离成岛状的上述pnpn构造之最上层之绝缘膜上之第1接触孔,连接至上述下部配线者;上述下部配线,系由与上述最上层形成非欧姆接触之材料所构成。3.如申请专利范围第2项之穿接金属配线构造,其中上述非欧姆接触,系为萧特基接触。4.一种自行扫描型发光装置之穿接金属配线构造,具有自行扫描型发光元件阵列者,系由第1电气手段,各自连接3端子转送元件阵列的各转送元件的控制电极,并同时使用第2电气手段,将电源线路连接至各转送元件的控制电极,且将各转送元件之剩余的2端子之一,连接至时钟线所形成,其中之3端子转送元件阵列者,系由具有许多个pnpn构造之3端子转送元件,配置排列而成;及上述发光元件阵列者,系由许多个pnpn构造之3端子发光元件,配置排列而成,上述发光元件阵列的各控制电极,与上述转送元件的控制电极相连接,于各发光元件之剩余的2端子之一,施加有发光用电流之写入信号线;其特征为:具有一下部配线,系为设置在由分离沟槽分离成岛状的上述pnpn构造之最上层者;一下部配线,系为设置在上述绝缘层之上者;及一上部配线,系为透过插穿于覆盖在由上述分离沟槽分离成岛状的上述pnpn构造之最上层之绝缘膜上之第1接触孔,连接至上述下部配线者。5.一种自行扫描型发光装置之穿接金属配线构造,具有自行扫描型发光元件阵列者,系由第1电气手段,各自连接3端子转送元件阵列的各转送元件的控制电极,并同时使用第2电气手段,将电源线路连接至各转送元件的控制电极,且将各转送元件之剩余的2端子之一,连接至时钟线所形成,其中之3端子转送元件阵列者,系由具有许多个pnpn构造之3端子转送元件,配置排列而成;及上述发光元件阵列者,系由许多个pnpn构造之3端子发光元件,配置排列而成,上述发光元件阵列的各控制电极,与上述转送元件的控制电极相连接,于各发光元件之剩余的2端子之一,施加有发光用电流之写入信号线;其特征为:于分离沟槽分离成岛状的上述pnpn构造部分之上,形成的穿接金属配线部分的金属配线构造,其具有一下部配线,系为除去上述pnpn构造部分之最上层,使为pnp或是npn构造,于分离沟槽分离成岛状的pnp构造或是npn构造的最上层上设置而成者;及一上部配线,系为透过插穿于覆盖在上述分离沟槽分离成岛状的上述pnp构造或是npn构造之绝缘膜上的接触孔,连接至下部配线者。图式简单说明:图1系该自行扫描型发光装置之等效电路图。图2系概略表示自行扫描型发光装置之晶片内之元件配置之一例。图3系1用接合焊垫4之周围之配线之显示图。图4系为二重化配线之显示图。图5系穿接金属配线部分之剖面图。图6系一实施例之穿接金属配线之剖面图。图7系其他之实施例之穿接金属配线之剖面图。 |
