| 摘要 |
本发明提示一种能在电磁频谱之红光至紫外光部分发射的发光装置之半导体结构。该结构包括一第一n型AlxInyGa1-x-yN包覆层，此处0≦x≦1及0≦y≦1及(x＋y)≦1；一第二n型AlxInyGa1-x-yN包覆层，此处0≦x≦1及0≦y≦1及(x＋y)≦1，其中该第二n型包覆层系进一步表现为实质上缺乏镁之特征；介于该第一与第二包覆层之间的一作用部分，其形式为具有复数个InxGa1-xN井层的一多量子井，此处0＜x＜1，该等井层系由对应的复数个AlxInyGa1-x-yN阻障层所分离，此处0≦x≦1及0≦y≦1；一p型第三族氮层，其中该第二n型包覆层系定位于该p型层与该多量子井之间，而且其中该等第一及第二n型包覆层具有个别带隙，每个带隙都大于该等井层之带隙。在较佳具体实施例中，一第三族氮超晶格支援该多量子井。 |
