| 发明名称 | 半导体装置结构及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置结构及半导体装置。在半导体基板(2)的正上方形成由多个单位电阻(3a)构成的电阻层(3)，在其上形成用于进行各单位电阻(3a)连接配线的金属配线层(4)。各单位电阻(3a)的端部通过金属配线层(4)配线连接，成为所定电阻值。在金属配线层(4)形成MIM电容器(7)的一电极，电介质层(5)密接在金属配线层(4)上，再在该电介质层(5)上密接金属膜(6)。在金属膜(6)上形成金属配线层(9)，金属膜(6)和金属配线层(9)用通孔(8)连接，金属配线层(9)构成MIM电容器(7)的另一电极。能得到不限制电阻和电容器连接、芯片面积小的半导体装置结构及半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN101257021A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200810080665.2 | 申请日期 | 2008.02.28 |
| 申请人 | 株式会社理光 | 发明人 | 伊藤弘造;川本和弘 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01);G05F1/56(2006.01) | 主分类号 | H01L27/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 王冉;杨梧 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置结构，包括：半导体基板；电阻层，形成在所述半导体基板上，所述电阻层具有配置在其中的电阻；电容层，形成在所述电阻层上，所述电容层具有电容器，与电阻电气连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||