| 发明名称 | 发光二极管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管的制造方法。所述方法包括：制备封装基板，在该封装基板的上表面和下表面上分别形成第一金属层和第二金属层；制备发光结构，所述发光结构包括基板、形成于该基板上的发光叠层和形成于该基板下表面上的反射金属层，所述发光叠层包括依次沉积在基板上的n型半导体层、发光层、p型半导体层和透明电极层；以及采用超声波热压法将该封装基板上表面的第一金属层与该发光结构的基板的下表面上的反射金属层接合。根据本发明，可以降低发光二极管的热阻。 | ||
| 申请公布号 | CN101257076A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200810027086.1 | 申请日期 | 2008.03.27 |
| 申请人 | 鹤山丽得电子实业有限公司 | 发明人 | 樊邦弘;翁新川 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/603(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种具有正装结构的发光二极管的制造方法，包括：制备封装基板，在该封装基板的上表面和下表面上分别形成第一金属层和第二金属层；制备发光结构，所述发光结构包括基板、形成于该基板上的发光叠层和形成于该基板下表面上的反射金属层，所述发光叠层包括依次沉积在基板上的n型半导体层、发光层、p型半导体层和透明电极层；以及采用超声波热压法将该封装基板上表面的第一金属层与该发光结构的基板的下表面上的反射金属层接合。 | ||
| 地址 | 529728广东省鹤山市共和镇祥和路301号 | ||