发明名称 |
一种超疏水氮化硼薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种具有超疏水性能的氮化硼薄膜及其制备方法,其特征在于选用BF<SUB>3</SUB>-N<SUB>2</SUB>-H<SUB>2</SUB>-Ar反应体系,采用微波等离子体化学气相沉积方法,制备出一种由纳米片层组成的hBN薄膜。这些纳米片层垂直于基材表面生长,具有很好的定向性,因而形成具有纳米结构特征的表面形貌,显示出良好的超疏水性能,接触角大于150°。这是国内外首次制备出hBN超疏水薄膜。本发明制备工艺为普通的化学气相沉积方法,不需要后处理工艺,简单易行。由于BN材料优异的物理化学性质,所制备的BN超疏水薄膜具有化学性质稳定、耐高温、寿命长、与基底结合强度高、光学透明等优点,具有重要的应用前景。 |
申请公布号 |
CN101255549A |
申请公布日期 |
2008.09.03 |
申请号 |
CN200810065404.3 |
申请日期 |
2008.02.22 |
申请人 |
哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
发明人 |
于杰;邱业君;高彪;丁友龙 |
分类号 |
C23C16/34(2006.01);C23C16/38(2006.01);C01B21/064(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/34(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种六方氮化硼薄膜,其特征是薄膜由纳米片层组成,片层的厚度一般为20-30nm,长度100-400nm。 |
地址 |
518055广东省深圳市南山区西丽深圳大学城哈工大校区 |