| 发明名称 | 用发射光谱学/残余气体分析仪结合离子电流的剂量测定 | ||
| 摘要 | 本发明主要提供了在等离子体工艺中控制实时离子剂量的方法和装置。在一个实施例中，离子剂量可利用从质量分布传感器的等离子体的原地测量结合从射频探针的原地测量进行控制。 | ||
| 申请公布号 | CN101256942A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200810082733.9 | 申请日期 | 2008.02.27 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | 卡提克·雷马斯瓦米;塞奥－米·乔;田中努;马耶德·阿里·福阿德 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01J37/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 1.一种处理基板的方法，包括：在等离子体反应器中定位基板，该等离子体反应器配置成执行等离子体工艺；在等离子体反应器中产生等离子体，通过将射频偏压施加到等离子体反应器启动等离子体工艺；利用第一传感器获得等离子体的至少一个属性的值，该第一传感器配置成监控等离子体反应器中产生的等离子体的至少一个属性；利用第二传感器获得射频偏压源的至少一个属性的值，该第二传感器配置成监控射频偏压源的至少一个属性，该射频偏压源配置成将射频偏压施加到等离子体反应器；以及从等离子体的至少一个属性值和射频偏压源的至少一个属性值确定等离子体中一个或多个离子元素的实时剂量值。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||