| 发明名称 | 用于增加写入选择性的MRAM结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种MRAM结构，这种MRAM结构可增加写入边界和写入选择性，但又不会明显减小存储器的存储密度。磁阻位(100a、100b、100c、等)的长轴(122)相对于数字线(110a、110b、等)的轴是偏斜的，因此可以从沿磁阻位(100a、100b、100c、等)的长轴(122)延伸的数字线电流(132a、132b、等)产生一个磁场分量(124)。 | ||
| 申请公布号 | CN100416698C | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN01813052.6 | 申请日期 | 2001.07.12 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | 李少平;西奥多·朱;安东尼·S·阿洛特;哈里·刘;威廉·L·拉森;陆勇 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01);G11C11/15(2006.01) | 主分类号 | G11C11/16(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 龚海军 |
| 主权项 | 1. 一种磁阻存储器，包括：安排成行和列的一个细长的磁阻位阵列，每个细长的磁阻位沿其长度方向都具有一个轴，沿每个磁阻位的长度方向的轴基本上平行于阵列中另一个细长磁阻位沿长度方向的轴，其中在每个磁阻位行中的磁阻位都电连接成长条形结构以形成对应的读出线；基本上相互平行地延伸的多个细长字线，每个细长字线沿其长度方向都具有一个轴，并且所说的字线在一个相应的列内在磁阻位的附近延伸；基本上相互平行地延伸的多个细长数字线，每个细长数字线沿其长度方向都具有一个轴，并且所说的数字线在一个相应的行内在磁阻位的附近延伸；每个细长的磁阻位的轴相对于细长数字线的轴以及细长字线的轴是偏斜的，从而使每个磁阻位的轴不平行于细长数字线的轴并且不垂直于细长字线的轴。 | ||
| 地址 | 美国艾达荷 | ||