| 发明名称 | 半导体基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明在硅基板10的主面上使SiGe混晶的缓冲层及Ge磊晶膜生长。在Ge磊晶膜11中，虽然高密度的缺陷从与Si基板10的界面被导入，但是施加700～900℃的热处理，来使贯穿位错12变化成为在Si基板界面附近的环状位错缺陷12’。接着，对形成有离子注入层的Ge磊晶膜11和支撑基板20的至少一方的主面，施加以表面净化或表面活化等作为目的的等离子体处理或臭氧处理，然后使主面之间密接而贴合。对贴合界面施加外部冲击，且沿着氢离子注入界面13进行Ge磊晶膜的剥离而得到Ge薄膜14，进而，若对该Ge薄膜14的表面施加最后表面处理来除去起因于氢离子注入的损伤时，能够得到其表面具有Ge薄膜14的GeOI基板。 | ||
| 申请公布号 | CN101256934A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200810005732.4 | 申请日期 | 2008.02.04 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 秋山昌次;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;川合信;飞坂优二 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高龙鑫 |
| 主权项 | 1.一种半导体基板的制造方法，具备以下步骤：步骤A，在硅基板上通过化学气相沉积法磊晶生长Ge膜；步骤B，在700～900℃的温度范围，对该Ge膜施加热处理；步骤C，从该Ge膜的表面侧注入氢离子；步骤D，对该Ge膜和支撑基板的至少一方的主面，施加表面活化处理；步骤E，将该Ge膜的主面与该支撑基板的主面贴合；及步骤F，对该Ge膜与该支撑基板的贴合界面赋予外部冲击，并沿着该Ge膜的氢离子注入界面将Ge结晶剥离，而在该支撑基板的主面上形成Ge薄膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||