| 发明名称 | 功率场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种在包括宽带隙表面半导体层(11)的宽带隙半导体衬底(10)上制造垂直功率MOS晶体管的方法，该方法包括步骤：在所述表面半导体层(11)上形成掩蔽结构(12)，包括只是一个介电层(12)，进行第一类型掺杂剂的至少一次第一离子注入以形成至少一个深注入区域(14a)，进行第一类型掺杂剂的至少一次第二离子注入以形成所述MOS晶体管的至少一个注入主体区(16)，该注入主体区(16)与所述深注入区域(14a)对准，该方法包括对第一类型和第二类型掺杂剂进行1－14低热预算的激活热处理，用于完成主体区(16)和深注入区域(14a)的形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101258582A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200680032632.X | 申请日期 | 2006.07.07 |
| 申请人 | 意法半导体股份有限公司 | 发明人 | M·G·萨乔;F·弗里西纳 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/24(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L21/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王庆海;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种在包括宽带隙表面半导体层(11)的宽带隙半导体衬底(10)上制造垂直功率MOS晶体管的方法，该方法包括步骤：在所述表面半导体层(11)上形成掩蔽结构(12)，该掩蔽结构使所述表面半导体层(11)的多个区域露出，对所述表面半导体层(11)进行第一类型掺杂剂的至少一次第一离子注入，以形成至少一个深注入区域(14a)，对所述表面半导体层(11)进行第一类型掺杂剂的至少一次第二离子注入，以形成所述MOS晶体管的至少一个注入主体区(16)，该注入主体区(16)与所述深注入区域(14a)对准，对所述表面半导体层(11)进行至少第二类型掺杂剂的至少一次离子注入，以形成在所述至少一个注入主体区(16)内的所述MOS晶体管的至少一个注入源区(18)，该方法的特征在于，它包括对第一类型和第二类型的掺杂剂进行低热预算的激活热处理，该激活热工艺用于完成所述至少一个主体区(16)、所述至少一个源区(18)和所述深注入区域(14a)的形成。 | ||
| 地址 | 意大利布里安扎 | ||