| 发明名称 | 包含具有至少一组基本未掺杂层的超晶格的半导体器件 | ||
| 摘要 | 半导体器件，包括超晶格，超晶格依次含有多个叠加的层组。每组超晶格可以包括用于限定基础半导体部分和其上的能带修改层的多个叠加的基础半导体单层。此外，能带修改层可以包括束缚于相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。超晶格的至少一个层组可以是基本上未掺杂的。 | ||
| 申请公布号 | CN101258603A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200680023233.7 | 申请日期 | 2006.05.09 |
| 申请人 | 梅尔斯科技公司 | 发明人 | 罗伯特·J·梅尔斯;斯考特·A·克瑞普斯 |
| 分类号 | H01L29/15(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/10(2006.01);H01L29/772(2006.01) | 主分类号 | H01L29/15(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：超晶格，其包括多个叠加的层组；所述超晶格的每个层组包括限定基础半导体部分和其上的能带修改层的多个叠加的基础半导体单层；所述能带修改层包括限制于相邻的基础半导体部分的晶格范围内的至少一个非半导体单层；所述超晶格的至少一个层组基本上未掺杂。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞 | ||