发明名称 |
一种稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>系压敏陶瓷介质 |
摘要 |
本发明公开了一种稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>系压敏陶瓷介质,按摩尔百分比,包括下述组分:ZnO为91~98%;Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、Cr<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、Co<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、Ni<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、MnCO<SUB>3</SUB>和SiO<SUB>2</SUB>各为0.1~1.0%;H<SUB>3</SUB>BO<SUB>3</SUB>为0.01~0.2%,Al(NO<SUB>3</SUB>)<SUB>3</SUB>·9H<SUB>2</SUB>O为0.001~0.01%;Sb<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>为0.5~2%;稀土氧化物Ce<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>或Gd<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>,其含量为0.1~1.0%。本发明通过对稀土氧化物Ce<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、Gd<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>单掺杂和双掺杂,并调整掺杂含量的合理比例,在1100~1180℃烧结得到的陶瓷介质,电位梯度可提高到500V/mm以上。本发明的压敏陶瓷介质可用于制造超/特高压电力系统的优质避雷器产品。 |
申请公布号 |
CN100415681C |
申请公布日期 |
2008.09.03 |
申请号 |
CN200610042720.X |
申请日期 |
2006.04.24 |
申请人 |
西安交通大学 |
发明人 |
李盛涛;成鹏飞 |
分类号 |
C04B35/453(2006.01);H01C7/10(2006.01) |
主分类号 |
C04B35/453(2006.01) |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 |
代理人 |
刘国智 |
主权项 |
1. 一种稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷介质,其特征是,按摩尔百分比,包括下述组分:ZnO为91~98%;Bi2O3、Cr2O3、Co2O3、Ni2O3、MnCO3和SiO2各为0.1~1.0%;H3BO3为0.01~0.2%,Al(NO3)3·9H2O为0.001~0.01%;Sb2O3为0.5~2%;稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3的一种或两种,其含量各为0.1~1.0%。 |
地址 |
710049陕西省西安市咸宁路28号 |