发明名称 一种稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>系压敏陶瓷介质
摘要 本发明公开了一种稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>系压敏陶瓷介质,按摩尔百分比,包括下述组分:ZnO为91~98%;Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、Cr<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、Co<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、Ni<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、MnCO<SUB>3</SUB>和SiO<SUB>2</SUB>各为0.1~1.0%;H<SUB>3</SUB>BO<SUB>3</SUB>为0.01~0.2%,Al(NO<SUB>3</SUB>)<SUB>3</SUB>·9H<SUB>2</SUB>O为0.001~0.01%;Sb<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>为0.5~2%;稀土氧化物Ce<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>或Gd<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>,其含量为0.1~1.0%。本发明通过对稀土氧化物Ce<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、Gd<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>单掺杂和双掺杂,并调整掺杂含量的合理比例,在1100~1180℃烧结得到的陶瓷介质,电位梯度可提高到500V/mm以上。本发明的压敏陶瓷介质可用于制造超/特高压电力系统的优质避雷器产品。
申请公布号 CN100415681C 申请公布日期 2008.09.03
申请号 CN200610042720.X 申请日期 2006.04.24
申请人 西安交通大学 发明人 李盛涛;成鹏飞
分类号 C04B35/453(2006.01);H01C7/10(2006.01) 主分类号 C04B35/453(2006.01)
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 代理人 刘国智
主权项 1. 一种稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷介质,其特征是,按摩尔百分比,包括下述组分:ZnO为91~98%;Bi2O3、Cr2O3、Co2O3、Ni2O3、MnCO3和SiO2各为0.1~1.0%;H3BO3为0.01~0.2%,Al(NO3)3·9H2O为0.001~0.01%;Sb2O3为0.5~2%;稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3的一种或两种,其含量各为0.1~1.0%。
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