Bi-directional Resistive Random Access Memory including sub cell array and writing method using thereof,申请号KR20070001180-传众专利搜索

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发明名称	Bi-directional Resistive Random Access Memory including sub cell array and writing method using thereof
摘要
申请公布号	KR100855965(B1)	申请公布日期	2008.09.02
申请号	KR20070001180	申请日期	2007.01.04
申请人		发明人
分类号	G11C16/04;G11C16/08;G11C16/10	主分类号	G11C16/04
代理机构		代理人
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