绝缘膜的形成方法及半导体装置的制造方法

摘要

绝缘膜的形成方法是包含：准备一表面露出矽的被处理基板之工程；对表面的矽实施氧化处理，在矽表面形成氧化矽膜的薄膜之工程；对氧化矽膜及其下层的矽实施第1氮化处理，形成氮氧化矽膜之工程；及对氮氧化矽膜在N#sB!2#eB!O环境下实施第1热处理之工程。此方法可更包含：第1热处理之后，对氮氧化矽膜实施第2氮化处理，除此以外，可更包含：对第2氮化处理之后的上述氮氧化矽膜实施第2热处理。