半导体装置

摘要

本发明之半导体装置系包含：半导体晶片；电性连接用之内部垫，其系形成于前述半导体晶片之表面；表面保护膜，其系包覆前述半导体晶片之表面，且包含使前述内部垫露出之垫开口；应力缓和层，其系形成于前述表面保护膜上，且包含使由前述垫开口露出之前述内部垫露出之开口部；连接垫，其系包含埋设于前述垫开口及前述开口部而连接于前述内部垫之埋设部、及与前述埋设部一体地形成，具有突出于前述应力缓和层上而宽度大于前述开口部之开口宽度之突出部；及金属球，其系以包覆前述连接垫之前述突出部之方式形成，用于与外部电性连接。