半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一半导体装置及制造半导体装置的方法，其形成具有平面研磨量分布的层，及经由该方法设定整个半导体晶圆上该层近乎均一的厚度，使得平面研磨量分布近乎均一。