平面型半导体装置及其制造方法

摘要

一种平面型半导体装置及其制造方法,包含复数个装置隔离区域,定义形成于半导体基板上方之一个主动区域;至少一个漂移区域,形成于半导体基板中;一个阱区域,形成于半导体基板中;一个闸极图案,形成于半导体基板上方以及复数个装置隔离区域之间;一对源极区域以及一个汲极区域,形成于与闸极图案的侧面邻接的半导体基板中;至少一个漂移区域,形成于阱区域中;一个汲极区域,形成于漂移区域中;以及一个矽化物层,形成于源极区域、汲极区域之上方以及部份闸极图案之上方。