| 发明名称 | 成膜方法和成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明是一种成膜方法，该方法包括向能够抽真空的处理容器内供给高熔点金属有机原料气体和含氮气体，在载置于该处理容器内的被处理体表面形成高熔点金属的金属化合物膜的薄膜的成膜工序。为了提高薄膜中所含碳的浓度，在成膜工序中的含氮气体的分压为17％以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101253282A | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN200680031423.3 | 申请日期 | 2006.10.24 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 山崎英亮;河野有美子 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | C23C16/34(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘春成 |
| 主权项 | 1.一种成膜方法，其特征在于：包括向能够抽真空的处理容器内供给高熔点金属有机原料气体和含氮气体，在载置于该处理容器内的被处理体表面形成高熔点金属的金属化合物膜的薄膜的成膜工序，其中，为了提高薄膜中所含碳的浓度，在成膜工序中的含氮气体的分压为17％以下。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||