发明名称 微-纳流控芯片的二维纳米通道的制备方法
摘要 一种微-纳流控芯片的二维纳米通道的制备方法,将纳米线放置载玻片上作为模板;通过热压法,将纳米线嵌入热塑性聚合物基片的上表面;用刻蚀剂将嵌入聚合物基片中的纳米线溶解后,在聚合物基片表面形成二维纳米通道;将形成二维纳米通道的聚合物基片与盖片封合,形成密封的二维纳米通道。可用于制备具有二维纳米通道的微-纳流控芯片,本发明制备二维纳米通道工艺简单,不需要昂贵的加工设备,成本低廉,加工速度快。
申请公布号 CN101251532A 申请公布日期 2008.08.27
申请号 CN200810060845.4 申请日期 2008.03.21
申请人 浙江大学 发明人 张磊;殷学锋;童利民;谷付星
分类号 G01N33/48(2006.01);C12Q1/68(2006.01) 主分类号 G01N33/48(2006.01)
代理机构 杭州中成专利事务所有限公司 代理人 盛辉地
主权项 1. 一种微-纳流控芯片的二维纳米通道的制备方法,其特征是将纳米线放置载玻片上作为模板;通过热压法,将纳米线嵌入热塑性聚合物基片的上表面;用刻蚀剂将嵌入聚合物基片中的纳米线溶解后,在聚合物基片表面形成二维纳米通道;将形成二维纳米通道的聚合物基片与盖片封合,形成密封的二维纳米通道。
地址 310027浙江省杭州市杭州玉古路20号