| 发明名称 | 制造快闪存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造非易失存储器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成包括作为介电层的氧化铝层的栅极叠层和使用包含硅的气体蚀刻所述栅极叠层的氧化铝层。 | ||
| 申请公布号 | CN101252084A | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN200710195323.0 | 申请日期 | 2007.12.10 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑台愚 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 1.一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极叠层，所述栅极叠层包括作为介电层的氧化铝层；和使用包含硅的气体蚀刻所述栅极叠层的氧化铝层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||