| 发明名称 | 半导体装置及引线接合方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置及引线接合方法。将引线折曲叠层在作为第二接合点的焊接点(3)上，形成具有倾斜楔(22)和第一引线折曲凸部(25)的凸出部(21)，从作为第一接合点的引脚朝凸出部(21)使得引线(12)构成环形，通过毛细管前端的平面部(33)将引线(12)朝凸出部(21)的倾斜楔(22)挤压，使得引线(12)与凸出部(21)接合，同时，通过内倒角部(31)将引线(12)朝第一引线折曲凸部(25)挤压，形成弓形截面形状的引线压碎部(20)。提升引线(12)，在引线压碎部(20)切断引线。在半导体装置中，提高引线和凸出部之间接合性，同时，提高引线切断性，提高焊接质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101252112A | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN200810005589.9 | 申请日期 | 2008.02.14 |
| 申请人 | 株式会社新川 | 发明人 | 三井竜成;富山俊彦;吉野浩章 |
| 分类号 | H01L23/49(2006.01);H01L21/603(2006.01);B23K20/00(2006.01);B23K101/40(2006.01) | 主分类号 | H01L23/49(2006.01) |
| 代理机构 | 上海三和万国知识产权代理事务所 | 代理人 | 王礼华 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，用引线连接第一接合点和第二接合点之间，其特征在于，包括：凸出部，将引线折曲叠层形成在第二接合点上，在第一接合点的相反侧包含引线折曲凸部；引线，从第一接合点侧朝凸出部延伸，接合在凸出部上面，在引线折曲凸部侧包含截面积比引线截面积小的切断面。 | ||
| 地址 | 日本国东京都武藏村山市伊奈平2－51－1 | ||