| 发明名称 | 用于横向分离半导体晶片的方法以及光电子器件 | ||
| 摘要 | 一种根据本发明的用于横向分离半导体晶片(1)的方法，包括以下方法步骤：提供生长衬底(2)；将半导体层序列(3)外延生长到生长衬底(2)上，该半导体层序列包括功能半导体层(5)；将掩模层(10)施加到半导体层序列(3)的部分区域上，以产生被屏蔽的区域(11)和未被屏蔽的区域(12)；通过未被屏蔽的区域(12)注入离子，在半导体晶片(1)中产生注入区(13)；以及沿着注入区(13)分离半导体晶片(1)，其中生长衬底(2)或者生长衬底(2)的至少一部分被从半导体晶片分离。 | ||
| 申请公布号 | CN101253660A | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN200680031538.2 | 申请日期 | 2006.08.07 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | 福尔克尔·黑勒;克里斯托夫·艾克勒 |
| 分类号 | H01S5/323(2006.01);H01S5/02(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01S5/323(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李德山;李春晖 |
| 主权项 | 1.一种用于横向分离半导体晶片的方法，半导体晶片包括生长衬底(2)和半导体层序列(3)，所述方法具有以下方法步骤：-提供生长衬底(2)，-将半导体层序列(3)外延生长到生长衬底(2)上，该半导体层序列包括功能半导体层(5)，-将掩模层(10)施加到半导体层序列(3)的部分区域上，以产生被屏蔽的区域(11)和未被屏蔽的区域(12)，-通过未被屏蔽的区域(12)注入离子，用于在半导体晶片(1)中产生注入区(13)，以及-沿着注入区(13)分离半导体晶片(1)，其中生长衬底(2)或者生长衬底(2)的至少一部分被从半导体晶片分离。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||