| 发明名称 | 镓极性氮化镓缓冲层的生长方法 | ||
| 摘要 | 镓极性氮化镓缓冲层的生长方法，涉及一种氮化镓缓冲层，尤其是涉及一种采用四步骤生长氮化镓缓冲层的方法。提供一种位错较少的单纯镓极性氮化镓缓冲层的生长方法。在蓝宝石衬底上高温生长第一层氮化镓缓冲层，高温生长的温度为1030～1050℃；在纯H<SUB>2</SUB>气氛中保持高温一段时间，使第一层氮化镓缓冲层中氮极性氮化镓完全升华掉；降低温度，在保留下来的镓极性氮化镓及蓝宝石衬底上低温生长第二层氮化镓缓冲层；在纯H<SUB>2</SUB>气氛高温退火，得单纯镓极性氮化镓缓冲层。 | ||
| 申请公布号 | CN101246821A | 申请公布日期 | 2008.08.20 |
| 申请号 | CN200810070781.6 | 申请日期 | 2008.03.19 |
| 申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 刘宝林;郑清洪;黄瑾 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人 | 马应森 |
| 主权项 | 1.镓极性氮化镓缓冲层的生长方法，其特征在于包括以下步骤：1)在蓝宝石衬底上高温生长第一层氮化镓缓冲层，高温生长的温度为1030～1050℃；2)在纯H2气氛中保持高温一段时间，使第一层氮化镓缓冲层中氮极性氮化镓完全升华掉；3)降低温度，在保留下来的镓极性氮化镓及蓝宝石衬底上低温生长第二层氮化镓缓冲层；4)在纯H2气氛高温退火，得单纯镓极性氮化镓缓冲层。 | ||
| 地址 | 361005福建省厦门市思明南路422号 | ||