| 发明名称 | 铁电薄膜的制造方法以及铁电记录介质的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种具有良好结晶度、改善的表面粗糙度和高密度数据存储容量的铁电薄膜及其制造方法，以及包括该铁电薄膜的铁电记录介质的制造方法。所述铁电薄膜的制造方法包括：在衬底上形成非晶TiO<SUB>2</SUB>层；在所述非晶TiO<SUB>2</SUB>层上形成PbO(g)气氛；以及在400至800℃的温度下使所述TiO<SUB>2</SUB>层与PbO(g)反应从而在衬底上形成具有1至20nm的纳米晶粒结构的PbTiO<SUB>3</SUB>铁电薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101246717A | 申请公布日期 | 2008.08.20 |
| 申请号 | CN200710101992.7 | 申请日期 | 2007.04.27 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 西蒙·比尔曼;洪承范 |
| 分类号 | G11B9/02(2006.01);H01L31/04(2006.01) | 主分类号 | G11B9/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1. 一种铁电薄膜的制造方法，该方法包括：在衬底上形成非晶TiO2层；在所述非晶TiO2层上形成PbO(g)气氛；以及在400至800℃的温度下使所述TiO2层与PbO(g)反应从而在所述衬底上形成具有1至20nm的纳米晶粒结构的PbTiO3铁电薄膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||