| 发明名称 | 集成电路的结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种集成电路的结构，其包括：半导体基底；金属化层，在该半导体基底上方；第一介电层，在该半导体基底与该金属化层之间；第二介电层，在该半导体基底与该金属化层之间，其中该第二介电层在该第一介电层上方；以及接触插塞，其具有上部及下部，该上部在该第二介电层中，该下部在该第一介电层中，其中该接触插塞电连接该金属化层中的金属线，且在该上部与该下部之间的界面，该接触插塞是不连续的。本发明可以有效地解决接触插塞与较高的深宽比有关的问题，并可以降低寄生电容。 | ||
| 申请公布号 | CN101246873A | 申请公布日期 | 2008.08.20 |
| 申请号 | CN200710128653.8 | 申请日期 | 2007.07.09 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 余振华;叶震南;姚志翔;万文恺;郑价言 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L23/522(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1. 一种集成电路的结构，包括：半导体基底；金属化层，在该半导体基底上方；第一介电层，在该半导体基底与该金属化层之间；第二介电层，在该半导体基底与该金属化层之间，其中该第二介电层在该第一介电层上方；以及接触插塞，其具有上部及下部，该上部在该第二介电层中，该下部在该第一介电层中，其中该接触插塞电连接该金属化层中的金属线，且在该上部与该下部之间的界面，该接触插塞是不连续的。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||