在磊晶生长期间对于宏观特征之整个晶圆的连续、原位评估方法

摘要

在晶圆上生长磊晶层及观察磊晶层之生长的设备及方法。该设备包括：磊晶生长设备；光源，被安装而在该晶圆之整个表面上的该磊晶层生长期间在该设备中照明该晶圆的该整个表面；以及观察设备，用以在该晶圆之该整个表面上的该磊晶层生长期间观察光自该晶圆之该整个表面的散射。该方法包括在该晶圆之表面上生长磊晶层，并在该晶圆之该整个表面上生长该磊晶层的期间，观察光从该晶圆之该整个表面的散射。该生长制程按照该观察而改变。有了氮化镓（GaN）磊晶层，为镓球而观察该晶圆之该整个表面。